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J-GLOBAL ID：201202271613247832   整理番号：12A0852231

連続循環炉を用いた水溶液法によるAlをドープしたZnO膜の作製

Preparation of Al-doped ZnO films by aqueous solution process using a continuous circulation reactor

著者 (3件)： MIYAKE Masao (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKUI Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRATO Tetsuji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 5  ページ： 945-948  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続循環炉を用いた水溶液法によるAlをドープしたZnO膜の作製の研究を行った。2-10mMのAl(NO₃)₃を含有したZnOが飽和したpH10.7のアンモニア溶液を90°Cの周囲圧力下で加熱することにより,Al濃度が1-2重量%の多結晶ZnO膜を成長した。ZnO膜のキャリアー濃度はAl濃度とともに増加し,AlはZnO結晶中に取り込むことに成功したことが示された。空気中で300°Cのアニール後,AlドープしたZnO膜のキャリア濃度は10¹⁹-10²⁰cm^-3,そして移動度は0.7-7cm²/V/sであった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  水溶液 ,  多結晶 ,  *溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *キャリア密度 ,  熱処理 ,  *キャリア移動度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 循環 ,  Al ,  ドープ ,  ZnO ,  作製