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J-GLOBAL ID：201202271750672486   整理番号：12A0750276

BJT-MOSFETペアを用いた温度センサ

Temperature sensor using BJT-MOSFET pair

著者 (8件)： WANG R.-L. (National Kaohsiung Normal Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YU C.-W. (National Kaohsiung Normal Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YU C. (National Kaohsiung Normal Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIU T.-H. (National Kaohsiung Normal Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YEH C.-M. (National Kaohsiung Normal Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN C.-F. (National Applied Res. Lab., Tainan, TWN) ,  TSAI H.-H. (National Applied Res. Lab., Tainan, TWN) ,  JUANG Y.-Z. (National Applied Res. Lab., Tainan, TWN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 9  ページ： 503-504  発行年： 2012年04月26日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度センサは自動車,家電などの多様な用途に用いられている。本レターではpnpバイポーラ接合トランジスタ(BJT)とp型MOS電界効果トランジスタ(PMOSFET)のカスケード構造を用いた温度センサを設計し,測定した。pnp BJTでは絶対温度に比例したバイアス電流のもとで,そしてPMOSFETでは温度に安定なバイアス電流のもとで,エミッタ-ベースおよびソース-ゲートバイアス電圧のプロットが相補的非線形に近い温度依存特性を示すとわかった。したがって,出力が2つのバイアス電圧の合計であるこの温度センサは良好な線形性を示す。0~125°Cの温度範囲に,作製した温度センサは99.996%の線形性を保って-3.39mV/°Cの感度を示した。

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,  MOSFET ,  *温度センサ ,  *温度計 ,  PNP接合 ,  縦続接続 ,  *回路設計 ,  相補回路 ,  線形性 ,  応答特性
準シソーラス用語： カスケード接続

分類 (1件)： 温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (3件)： BJT ,  MOSFET ,  温度センサ