文献

J-GLOBAL ID：201202271774440390   整理番号：12A1222182

三相接触角測定による表面電位と表面電荷密度の計算

Calculation of the surface potential and surface charge density by measurement of the three-phase contact angle

著者 (3件)： HORIUCHI H. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Illinois Inst. of Technol., Chicago, IL 60616-3793, USA) ,  NIKOLOV A. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Illinois Inst. of Technol., Chicago, IL 60616-3793, USA) ,  WASAN D.t. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Illinois Inst. of Technol., Chicago, IL 60616-3793, USA)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 385  号： 1  ページ： 218-224  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリカ/シリコンウエハーは,電子デバイス製造において,半導体工業中で幅広く用いられており,その物理化学を理解しシリカウエハー/水界面での表面電位を定量することは必須である。しかしながら,その高い電気抵抗のために,シリカ/シリコンウエハーの表面電位を直接測定することは困難である。本検討では,シリカ表面の三相接触角(TPCA)をpHの関数として測定する。シリカ/水表面での表面電位と表面電荷密度は,電気二重層のためのGouy-Chapmanモデルと結びついたYoung-Lippmann式に基づくモデルにより計算する。シリカ上のTPCAの測定においては,pH9.5での境界により2つの明白な領域が同定された-即ち,pH9.5未満でのシラノール基の表面イオン化の支配と,pH9.5を超えた水溶液中へのシリカ溶解支配を示している。表面化学がpH9.5を超えると変化するために,シリカ/水性界面での表面電位と表面電荷密度の計算のために,このモデルは,pH9.5未満(イオン化支配)の溶液に適用する。このモデルを評価するために,マイカシートからGalvani電池を作製し,表面電位をマイカ/水界面で直接測定した。モデルの結果も,電位差滴定法と界面動電性測定により得られた結果はもとより,文献からの実験データにより検証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *表面電位 ,  優性 ,  Galvani電池 ,  *接触角 ,  *密度 ,  *ウエハ【IC】 ,  固体素子 ,  固液界面 ,  電気抵抗 ,  pH依存性 ,  理論 ,  基 ,  イオン化 ,  溶解 ,  雲母 ,  *水 ,  ζ電位 ,  モデリング ,  電気二重層 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  Gouy-Chapman理論 ,  ガルバニックセル ,  シラノール基 ,  *シリコンウエハ ,  電子デバイス ,  *表面電荷密度

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 三相 ,  接触角 ,  表面電位 ,  表面電荷密度 ,  計算