文献

J-GLOBAL ID：201202271836109784   整理番号：12A0905526

3族窒化物ヘテロ構造のMBE成長における弾性応力のRHEEDモニタリング

RHEED monitoring of elastic stresses during MBE growth of group III nitride heterostructures

著者 (5件)： NECHAEV D. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  JMERIK V. N. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  MIZEROV A. M. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KOP’EV P. S. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  IVANOV S. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名： Technical Physics Letters  (Technical Physics Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 443-445  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 1063-7850  CODEN： TPLEED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  RHEED ,  超格子 ,  *格子定数 ,  化合物半導体 ,  格子不整合 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  *窒化アルミニウム ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  *弾性応力

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3族 ,  窒化物 ,  ヘテロ構造 ,  MBE成長 ,  弾性応力 ,  RHEED ,  モニタリング