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J-GLOBAL ID：201202271955468458   整理番号：12A0549588

GaAs/AlAs超格子におけるミニBrillouinゾーンの中心及び端におけるミニバンドの還元有効質量への電界効果

Electric field effects on reduced effective masses of minibands at the mini-Brillouin-zone center and edge in a GaAs/AlAs superlattice

著者 (2件)： NAKAYAMA M. (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN) ,  KAWABATA T. (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 053523-053523-4  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PINダイオード構造に埋め込まれたGaAs/AlAs超格子におけるミニバンドの還元有効質量の電界強度依存性を,電界反射分光法を用いて研究した。Frantz-Keldysh(FK)振動を,ミニBrillouinゾーンの中心(k_z=0:Γ点)及び端(k_z=π/D:π点,ここにDは超格子周期)で,n=1重い正孔から電子遷移の間のエネルギー域において観察した。FK振動の解析から,Γおよびπ点の還元有効質量を,電界強度の関数として評価した。評価した還元有効質量は,低電界強度において計算されたミニバンド分散関係から見積もった値と一致した。還元有効質量は与えられた電界強度においてより重くなる傾向があることを見出した。伝達マトリックス法を用いて計算した固有状態の電界強度依存性を考慮して,還元有効質量の増大が,ミニバンドからWannier-Stark局在におけるStarkラダー状態への変換過程における電子エンベロープ関数の弱い局在に由来すると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： PINダイオード ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  *Brillouin帯 ,  *バンド構造 ,  *有効質量 ,  *電場効果 ,  振動 ,  フォトリフレクタンス ,  Franz-Keldysh効果 ,  化合物半導体 ,  電界反射 ,  Stark効果 ,  人工超格子 ,  伝達マトリックス法 ,  Wannier関数 ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： ミニバンド ,  電界効果

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaAs ,  AlAs ,  超格子 ,  Brillouinゾーン ,  端 ,  ミニバンド ,  還元 ,  有効質量 ,  電界効果