文献

J-GLOBAL ID：201202272018037413   整理番号：12A1035049

炭化ケイ素パワートランジスタ

Silicon Carbide Power Transistors

著者 (3件)： RABKOWSKI Jacek (KTH Royal Inst. Technol., SWE) ,  PEFTITSIS Dimosthenis (KTH Royal Inst. Technol., SWE) ,  NEE Hans-Peter
資料名： IEEE Industrial Electronics Magazine  (IEEE Industrial Electronics Magazine)
巻： 6  号： 2  ページ： 17-26  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W2237A  ISSN： 1932-4529  CODEN： IIEMAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)はより高い定格電圧,より低い電圧降下,より高い最高温度,およびより高い熱伝導度を持つことから,SiCパワーエレクトロニクスは,近い将来,高効率,高周波および高温度のアプリケーションにおいて最新のSi技術を代替することが期待されている。既にいくつかの供給元において,導入に見合うコストで高性能SiCトランジスタを開発・製造する能力があり,パワーエレクトロニクスにおける新時代が幕を開けている。本稿では,現在入手できるSiCデバイスについて概観し,その応用動向について紹介する。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *電力トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  熱伝導率

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 炭化ケイ素 ,  パワートランジスタ