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J-GLOBAL ID：201202272091336828   整理番号：12A1748776

V_1-xW_xO₂の金属-不導体転移 構造からと電子状態からの原因

Metal-insulator transition in V_1-xW_xO₂: structural and electronic origin

著者 (12件)： SI Cheng (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Wei (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Huan (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  ZHOU Jing (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ABLAT Abduleziz (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Linjuan (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHENG Jie (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  PAN Zhiyun (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  FAN Lele (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  ZOU Chongwen (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  WU Ziyu (Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WU Ziyu (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 14  号： 43  ページ： 15021-15028  発行年： 2012年11月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体転移(MIT)で著名な二酸化バナジウムにタングステンをドーピングした場合の変化を検討した。V_1-xW_xO₂の平均的構造内に異例の金属-金属対があることがシンクロトロン放射X線回折で判り,その理解のため,x=0~約0.03でドーパントW原子周り,母相V原子周りの局所構造をEXAFSにより解析した。WのL₃吸収端とVのK端からW添加がV-V対に歪を起し,その遷移が一定値に収まる臨界濃度があること,Vの局所構造への内部応力の主な効果が把握できた。即ちW濃度増大によりV-V対の核間距離が一定のままVO₆八面体の酸素原子に対するねじれが減少する。加えて酸素K端XANESによる電子構造から,ドーピング増大でO_p2とV_d1状態の相互作用が強化され,O_2p/V_π^*の混成が減少することが分った。従ってO_p2/V_3dの軌道混成がこの系のMIT遷移温度の低下を決める基本要素である。

シソーラス用語： 金属-絶縁体転移 ,  転移温度 ,  *酸化バナジウム ,  *タングステン ,  *ドーピング ,  イオン対 ,  *濃度依存性 ,  *構造 ,  EXAFS ,  XANES ,  X線吸収端 ,  内部応力 ,  濃度 ,  核間距離 ,  八面体 ,  ねじれ形配座 ,  *電子構造 ,  原子間相互作用 ,  配位混合 ,  X線構造解析 ,  格子歪
準シソーラス用語： *二酸化バナジウム ,  軌道混成 ,  *局所構造 ,  局所歪 ,  臨界濃度

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不導体 ,  電子状態 ,  原因