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J-GLOBAL ID：201202272481191944   整理番号：12A0776340

静電的にドープしたグラフェン中のプラズモン

Plasmons in electrostatically doped graphene

著者 (3件)： THONGRATTANASIRI Sukosin (IQFR - CSIC, Serrano 119, 28006 Madrid, ESP) ,  SILVEIRO Ivan (IQFR - CSIC, Serrano 119, 28006 Madrid, ESP) ,  JAVIER GARCIA DE ABAJO F. (IQFR - CSIC, Serrano 119, 28006 Madrid, ESP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 20  ページ： 201105-201105-4  発行年： 2012年05月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは低損失プラズモン材料として期待が高い。グラフェン中のプラズモン特性は静電的ドーピングにより制御される。本研究では,ナノ構造グラフェン中のプラズモンの研究におけるこれ迄の仮定と対照的に,不均一ドーピングを生成する現実的構成を解析した。特に,バックゲートリボン,逆ポテンシャルに置いたコプレーナリボン対,均一電場を印加した個々のリボンを調べた。Fermi準位が端におけるキャリア密度の発散などの有限サイズ効果を補償するように適当にスケールするとき,バックゲートリボンとリボン対におけるプラズモンは均一ドープしたリボンのプラズモンに似ていた。対照的に,均一電場を印加したリボンのプラズモンは明確な分散と,均一ドープリボンのものとはかなり異なる空間プロファイルを示した。これらの結果は現実的静電ドーピング条件下のグラフェンプラズモンを理解するための道筋を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドーピング ,  *炭素材 ,  *プラズモン ,  ナノ構造 ,  Fermi準位 ,  キャリア密度 ,  電場効果 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： バックゲート

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  グラフェン ,  プラズモン