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J-GLOBAL ID:201202272984586989   整理番号:12A0963569

(n,0)および(m,m)GaPナノチューブ(n=3~10およびm=2~6)に関する69Ga四重極結合定数のDFT計算による研究

Studying (n, 0) and (m,m) GaP nanotubes (n = 3-10 and m = 2-6) through DFT calculations of Ga-69 quadrupole coupling constants
著者 (3件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 801-804  発行年: 2012年07月 
JST資料番号: A0236B  ISSN: 1293-2558  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: フランス (FRA)  言語: 英語 (EN)
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代表的なジグザグ型および肘掛椅子型リン化ガリウム(GaP)ナノチューブの特性を,密度汎関数理論(DFT)計算の遂行によって調べた。目的達成のために,n=3~10の(n,0)ジグザグ型GaPナノチューブに関する8個のモデル,ならびにm=2~6の(m,m)肘掛椅子型GaPナノチューブを考察した。先ず,各モデルを最適化し,次に,四重極結合定数(CQ)を,最適化構造の69Ga原子について計算した。その結果は,双極子モーメント,エネルギーギャップ,結合エネルギー,および結合長を含む最適化特性が,指数nまたはmで直接決まるGaPナノチューブ直径に主として依存することを示した。さらに,CQパラメータの値の比較は,細いGaPナノチューブの方が,太いものよりも反応性の強い材料と見なせることを示した。ナノチューブの応用の決定において反応性は非常に重要であることを記した。最後に,ナノチューブ側壁の原子は,各層の原子に対する特性の類似性に基づいて,原子層に分割できることを記した。その際,ナノチューブのエッジにあるGa原子の特性は,比較的太いナノチューブの場合にだけ,他の層の原子の特性と異なることを記した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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原子・分子のクラスタ  ,  表面の電子構造 

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