漏れ電流抑制のためのコバルトドーピングによるRu/ルチル-TiO<sub>2</sub>/Ruキャパシタのバンド工学

TONOMURA Osamu; SEKIGUCHI Tomoko; INADA Naomi; HAMADA Tomoyuki; MIKI Hiroshi; TORII Kazuyoshi

文献

J-GLOBAL ID：201202273249690973 整理番号：12A0214793

漏れ電流抑制のためのコバルトドーピングによるRu/ルチル-TiO₂/Ruキャパシタのバンド工学

Band Engineering of Ru/Rutile-TiO₂/Ru Capacitors by Doping Cobalt to Suppress Leakage Current

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資料名：
巻： 159 号： 1 ページ： G1-G5 発行年： 2012年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

20nmDRAMの要求条件に適う等価酸化物厚さ(EOT)と漏れ電流密度を見込んで,Ru/ルチル-TiO₂/Ruキャパシタを設計した。Ru上に蒸着されたTiO₂はルチル-TiO₂とルチル-RuO₂の結晶構造と格子定数の類似性ゆえにルチル型に結晶化し,相対誘電率60以上を得ることができた。さらに,TiO₂へのイオン半径の小さい元素のドーピングが漏れ電流密度の低下に有利と予測して,それを実証した。ルテニウム-CoドープTiO₂-ルテニウムからなるMIMキャパシタは20nmDRAMに有望である。

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金属-絶縁体-金属構造 , 酸化物薄膜

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漏れ電流抑制のためのコバルトドーピングによるRu/ルチル-TiO2/Ruキャパシタのバンド工学

漏れ電流抑制のためのコバルトドーピングによるRu/ルチル-TiO₂/Ruキャパシタのバンド工学