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J-GLOBAL ID:201202273446131358   整理番号:12A1187605

中波長および長波長赤外における液体窒素冷却HgCdTe合金のバルク発生-再結合プロセスとキャリア寿命

The bulk generation-recombination processes and the carrier lifetime in mid-wave infrared and long-wave infrared liquid nitrogen cooled HgCdTe alloys
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巻: 112  号:ページ: 033718-033718-8  発行年: 2012年08月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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インジウムだけでなくヒ素および水銀空孔ドープHgCdTe三元合金の長波長および中波長赤外における液体窒素温度のバルク発生-再結合機構およびキャリア寿命について広範な研究を行った。HgCdTe物質の過剰少数キャリア寿命は,平衡からわずかにずれた条件の下で非線形輸送方程式を解くことにより計算した。水銀空孔に関係したAuger1,Auger7,およびShockley-Read-Hall機構により決定したキャリア寿命の数値計算結果を利用可能な文献データと比較した。理論的な予測と実験データ,特に高ドープp型HgCdTe物質におけるものとのいくらかの不一致を説明するために,AugerプロセスにおけるキャリアのCoulomb相互作用に及ぼす電気的遮蔽効果を含むキャリア寿命について再検討した。さらに,バンド間放射再結合の重要性もわずかにあることを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 

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