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J-GLOBAL ID：201202273558385808   整理番号：12A1589033

温度制御動作用の集積化ナノホットプレートを備えた高周波数AlN MEMS共振器

High Frequency AlN MEMS Resonators with Integrated Nano Hot Plate for Temperature Controlled Operation

著者 (5件)： RINALDI Matteo (Northeastern Univ., MA, USA) ,  HUI Yu (Northeastern Univ., MA, USA) ,  ZUNIGA Chiara (Univ. Pennsylvania, PA, USA) ,  TAZZOLI Augusto (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  PIAZZA Gianluca (Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium  (Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium)
巻： 2012  ページ： 355-359  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0958A  ISSN： 1075-6787  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共振器の本体の外側に,加熱要素をおくことにより,高周波数,小型,低位相雑音および温度安定性の良い周波数源の開発の足がかりを得た。この新しい設計は,デバイスの電気機械的特性を不変に保つことができる。同時に,MEMS共振器の効率的な恒温槽付加を,加熱要素の大きさのスケーリングと共振器とヒータの間のギャップを最小にして,達成した。はじめに,ナノスケール加熱素子にモノリシックに集積し,完全にオーバーラップし,サブミクロンの空隙で,共振素子より離した,完全に固定された窒化アルミニウム(AlN)MEMS共振器を実験的に実証した。加熱素子を共振器の外側に置くことにより,MEMS共振器を備えた加熱要素に伴う集積化に関する基本的な問題を解決した。高い動作周波数と加熱要素の導入にもかかわらず,デバイスの高い性能指数を達成した。

シソーラス用語： *温度制御 ,  集積 ,  加熱器 ,  *窒化アルミニウム ,  位相雑音 ,  発熱体 ,  共振器
準シソーラス用語： AlN ,  *MEMS共振器 ,  ホットプレート ,  加熱要素 ,  集積化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 温度制御 ,  集積化 ,  ホットプレート ,  高周波数 ,  AlN ,  MEMS共振器