文献

J-GLOBAL ID：201202273617259137   整理番号：12A0538784

自然及びRCA洗浄したSi(111)基板上に蒸着した銅フタロシアニン超薄膜の表面形態の比較研究

Comparative study of surface morphology of copper phthalocyanine ultra thin films deposited on Si (111) native and RCA-cleaned substrates

著者 (4件)： KRZYWIECKI M. ,  GRZADZIEL L. ,  BODZENTA J. ,  SZUBER J.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 11  ページ： 3965-3970  発行年： 2012年03月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RCA洗浄したSi(111)/SiO₂基板上に蒸着した16nmのCuPc超薄膜の構造と表面形態に及ぼす基板ドーピングの影響を,薄膜の構造と形態はX線光電子分光法と原子間力顕微鏡により調べた。AFM画像と光電子放出実験の結果からは,基板による形態と表面化学の有意差は明らかでなかった。有機被覆層の表面形態の観察した違いは基板ドーピングの違いに起因した。p型RCA-Si(111)上に成長させたCuPc膜は稠密充填結晶の小型なネットワークを示したが,n型RCA-Si(111)上に蒸着したCuPc膜は,より大きな結晶のより開かれたネットワークを明らかにした。RCA洗浄したp型及びn型基板上のCuPc膜の表面粗さはそれぞれ0.97nmと1.47nmであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *超薄膜 ,  薄膜成長 ,  基板 ,  電子顕微鏡観察 ,  *形態 ,  *表面構造 ,  表面粗さ ,  ドーピング ,  半導体材料 ,  有機半導体 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： Si基板 ,  *表面形態

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (7件)： RCA洗浄 ,  Si ,  蒸着 ,  銅フタロシアニン ,  超薄膜 ,  表面形態 ,  研究