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J-GLOBAL ID：201202274299827038   整理番号：12A1052383

緑色半導体レーザの進展

Development of Green Semiconductor Lasers

著者 (2件)： 岸野克巳 (上智大 理工) ,  岸野克巳 (上智大 上智ナノテクノロジー研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 99(LQE2012 13-23)  ページ： 39-44  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaInN系半導体,GaInN系ナノコラム,Beを含むII-VI族系半導体材料による緑色半導体レーザの最近の進展について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *緑 ,  *可視レーザ ,  *量子井戸レーザ ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  技術進歩 ,  電流 ,  電流密度 ,  格子定数 ,  *ベリリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  カドミウム化合物 ,  セレン化合物 ,  テルル化合物
準シソーラス用語： 緑色レーザー ,  ナノコラム ,  閾値電流

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 緑色 ,  半導体レーザ ,  進展