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J-GLOBAL ID：201202274381798640   整理番号：12A0963584

Cu₂HgSnSe₄の構造特性,電子特性および光学的性質に関するab initio計算

Ab initio calculations of structural, electronic, and optical properties of Cu₂HgSnSe₄

著者 (5件)： LI Dan (Div. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen 518055, CHN) ,  ZHANG Xinghong (Center for Composite Materials, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  ZHU Zhenye (Div. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen 518055, CHN) ,  ZHANG Huayu (Div. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen 518055, CHN) ,  LING Furi (School of Optoelectronic Sci. and Engineering, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan 430074, CHN)
資料名： Solid State Sciences  (Solid State Sciences)
巻： 14  号： 7  ページ： 890-893  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： A0236B  ISSN： 1293-2558  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫錫石(stannite)型構造を有するCu₂HgSnSe₄の電子構造を,第一原理計算によって調べた。この物質は直接バンドギャップ化合物である。加えて,誘電関数,吸収係数,反射率,およびエネルギー損失関数を,一般化勾配近似の枠内で,密度汎関数理論を用いて調べた。著者らは,価電子バンドと伝導バンドとの間での光学遷移を,誘電関数の虚数部分のスペクトルにおいて論じた。高くて幅が広い光吸収スペクトルを得た。高くて幅広い吸収スペクトルを得た。Cu₂HgSnSe₄の反射スペクトルに,数個の顕著なピークを見出した。エネルギー損失スペクトルにおける顕著なピークが,急速な反射の減少に対応した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  *水銀化合物 ,  *スズ化合物 ,  セレン化物 ,  *電子構造 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  吸収係数 ,  電子遷移 ,  *価電子バンド ,  *伝導バンド ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  計算 ,  ab initio法 ,  *紫外可視吸収スペクトル
準シソーラス用語： CASTEP ,  光学遷移 ,  第一原理計算 ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 構造特性 ,  電子 ,  光学的性質 ,  計算