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J-GLOBAL ID：201202274633773092   整理番号：12A0430611

ZnO/アントラセンベースの無機/有機ナノワイヤヘテロ構造 光応答と光ルミネセンス研究

ZnO/anthracene based inorganic/organic nanowire heterostructure: Photoresponse and photoluminescence studies

著者 (2件)： DHARA Soumen (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati 781039, IND) ,  GIRI P. K. (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati 781039, IND)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 4  ページ： 044320  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では光電流,光応答と紫外光ルミネセンスの改善のためにアントラセンと共に垂直に並んだZnOナノワイヤ(NW)の表面修飾の効果を調べた。アントラセン溶液で表面を被覆することによるZnO/アントラセンベースの無機/有機NWヘテロ構造の形成を高分解能透過型電子顕微鏡とFourier変換赤外分光で確認した。ZnO NWのアントラセン被覆後に暗電流は増加したが,光電流と光ルミネセンスにかなりの改善を得た。被覆により紫外光電流対暗電流比で6倍改善した。被覆していないNWとの比較でZnO/アントラセン系の光応答はかなり速まり,応答およびリセット時間はそれぞれ1.5と1.6sであった。室温光ルミネセンススペクトルは紫外放出が3倍と成り,緑放出に対する紫外の比も大幅に増した。ZnO/アントラセンヘテロ構造のより速い光応答と強化した光電流は,表面欠陥の改質と界面電荷移動過程に基づいて説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *被覆 ,  *ナノワイヤ ,  *素子構造 ,  *応答 ,  *光ルミネセンス ,  紫外線 ,  透過型電子顕微鏡 ,  Fourier変換赤外分光分析 ,  暗電流 ,  表面欠陥 ,  電荷移動 ,  表面改質 ,  *芳香族縮合炭化水素 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *光応答 ,  *ヘテロ構造 ,  表面修飾

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： アントラセン

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  アントラセン ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  光応答 ,  光ルミネセンス ,  研究