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J-GLOBAL ID：201202274643566974   整理番号：12A0405565

低R_diff,onおよび高速スイッチングを伴う13kV 4H-SiC nチャンネルIGBT

A 13kV 4H-SiC n-channel IGBT with Low R_diff,on and Fast Switching

著者 (11件)： DAS Mrinal K. (Cree, Inc., NC, USA) ,  ZHANG Qingchun (Cree, Inc., NC, USA) ,  CALLANAN Robert (Cree, Inc., NC, USA) ,  CAPELL Craig (Cree, Inc., NC, USA) ,  CLAYTON Jack (Cree, Inc., NC, USA) ,  DONOFRIO Matthew (Cree, Inc., NC, USA) ,  HANEY Sarah (Cree, Inc., NC, USA) ,  HUSNA Fatima (Cree, Inc., NC, USA) ,  JONAS Charlotte (Cree, Inc., NC, USA) ,  RICHMOND James (Cree, Inc., NC, USA) ,  SUMAKERIS Joseph J. (Cree, Inc., NC, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 600/603  号： Pt.2  ページ： 1183-1186  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング ,  4H-SiC ,  Nチャンネル ,  IGBT