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J-GLOBAL ID：201202274701764242   整理番号：12A0216790

Si基板上で成長するグリーンInGaN/GaN LEDに関する種々のAl比率を有するp-AlGaN電子ボロッキング層

p-AlGaN electron blocking layer with different Al fractions on green InGaN/GaN LEDs grown on Si substrates

著者 (4件)： Mao Qinghua (Education Ministry Engineering Reserch Center for Luminescence Matirials and Devices, Nanchang Univ., Nanchang) ,  Jiang Fengyi (Education Ministry Engineering Reserch Center for Luminescence Matirials and Devices, Nanchang Univ., Nanchang) ,  Cheng Haiying (Education Ministry Engineering Reserch Center for Luminescence Matirials and Devices, Nanchang Univ., Nanchang) ,  Zheng Changda (Education Ministry Engineering Reserch Center for Luminescence Matirials and Devices, Nanchang Univ., Nanchang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 59  号： 11  ページ： 8078-8082  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 著者らは種々のAl比率を有するp-AlGaN電子ブロッキング層(EBLs)を有するSi(111)基板上にグリーン発光ダイオード(LED)を成長させた。この結果は,電流密度による量子効率性の変化が多様性を表示することを示した。より低い電流密度において,より高い電流密度で,Al比率の低下とともにLEDの量子効率性は増大したが,しかし,LEDの量子効率性はAl比率の低下とともに増大して,電子およびホールがよく量子で再結合するとき,複雑な機構によるものと考えられた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  振動 ,  ウエハ【IC】 ,  発光ダイオード
準シソーラス用語： *InGaN ,  ロッキング ,  Si基板 ,  LED

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (10件)： Si基板 ,  成長 ,  グリーン ,  InGaN ,  GaN ,  LED ,  Al ,  比率 ,  AlGaN ,  電子