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J-GLOBAL ID：201202274908144538   整理番号：12A1000351

三元化合物Cu₂SnS₃に基づく薄膜太陽光電池

Thin film solar cells based on the ternary compound Cu₂SnS₃

著者 (6件)： BERG Dominik M. (Univ. of Luxembourg, Lab. for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  DJEMOUR Rabie (Univ. of Luxembourg, Lab. for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  GUETAY Levent (Univ. of Luxembourg, Lab. for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  ZOPPI Guillaume (Northumbria Univ., Northumbria Photovoltaics Applications Centre, Ellison Building, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, GBR) ,  SIEBENTRITT Susanne (Univ. of Luxembourg, Lab. for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  DALE Phillip J. (Univ. of Luxembourg, Lab. for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 19  ページ： 6291-6294  発行年： 2012年07月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄とSnSと共に,p型半導体Cu₂SnS₃も,地球に多量にあり,低コスト元素だけから成り,そして,Cu₂ZnSnS₄とSnSと比較できる光-電子特性を示し,将来の光電池適用の有望な候補とする。この研究で,三元化合物は,電着した前駆体の硫黄とスズ硫化物環境のアニールを通して生じた。得た吸収層の構造をX線回折によって研究し,そして,結果は結晶構造が単斜晶であることを示した。光学特性を光ルミネセンスを通して測り,そこで,0.95eVの非対称ピークを見つけた。光ルミネセンス・スペクトルの評価は,0.93eVのバンド・ギャップを示した。これは,外部の量子効率からの結果と良く一致した。さらに,この半導体層を0.54%の出力変換効率,17.1mA/cm²の短絡電流,小さいシャント抵抗で妨げられた,104mVの開回路電圧,30.4%のフィルファクタ,そして,ちょうど60%未満の最大外部量子効率の光電池デバイスに処理した。更に,光電池の適用のためのこのCu₂SnS₃吸収層の可能性を議論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅化合物 ,  スズ化合物 ,  硫化物 ,  *P型半導体 ,  光電効果 ,  *光電池 ,  光ルミネセンス ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  太陽光電池