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J-GLOBAL ID：201202275075118470   整理番号：12A1327966

水素化非晶質シリコンにおけるルミネセンスギャップ

Luminescence gap in hydrogenated amorphous silicon

著者 (5件)： MURAYAMA Kazuro (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  SAGAWA Ryo (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  MONJI Kunitaka (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  TSUSHIMA Kouhei (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  DEKI Hidenori (Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Nakano, Aki-ku, Hiroshima-shi, Hiroshima-ken 739-0321, JPN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2027-2030  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ”ルミネセンスギャップ”がルミネセンス測定から得られるために,熱化ギャップ及びホッピングギャップの代わりに”ルミネセンスギャップ”を使用した。170から300°Cの種々の基板温度でプラズマCVDにより調製した膜において,温度範囲4.2から225Kで水素化非晶質シリコン(a-Si:H)のルミネセンスギャップが観察された。ルミネセンスギャップの温度依存性から,ルミネセンス端がホッピングの待ち時間がルミネセンスの寿命と等しい局在化バンドテール状態に存在することが示された。ルミネセンス-ピークエネルギーの励起エネルギー依存性が観察された。これは,多孔質Siのそれと同等であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ルミネセンス ,  *半導体薄膜 ,  *アモルファスシリコン ,  *光学ギャップ ,  *水素化物 ,  熱化 ,  ホッピング伝導 ,  プラズマCVD ,  温度依存性 ,  励起エネルギー ,  依存性 ,  多孔質シリコン
準シソーラス用語： 水素化アモルファスシリコン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 水素化 ,  非晶質シリコン