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J-GLOBAL ID：201202275497604580   整理番号：12A0395889

酸化物半導体ガスセンサーのための2種類の吸着酸素を含むためのレセプター機能理論の拡張

Extension of receptor function theory to include two types of adsorbed oxygen for oxide semiconductor gas sensors

著者 (3件)： YAMAZOE Noboru (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SUEMATSU Koichi (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SHIMANOE Kengo (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 163  号： 1  ページ： 128-135  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素および酸化あるいは還元ガスへの酸化物半導体ガスセンサーのレセプター機能を拡張させ,2種類の吸着酸素,O^-およびO^2-を含ませることに成功した。O^2-イオンを頼みにするレセプター機能が,P_x^1/2(x=O₂)への抵抗の線形依存性によって特色づけられ,一方O^-を頼みにしたものはP_x^1/2(x=O₂)への線形依存性を示した。結果として,O^2-イオンが形成される場合に,抵抗は小さなP_x(x=O₂)で高い値がもたらされた。乾燥した条件下の空気中での抵抗の劇的な増大が,湿気のある条件中での水蒸気によりブロックされるO^2-イオンの形成の結果として説明付けられた。空気中での酸化ガス(NO₂)への応答において,O^2-イオンが不都合な影響;空気中でデバイスの正味の抵抗を増大させ,したがってガスへの伝統的に定義された応答を低減させること,を働かせた。それらは,特定の方法で還元ガス(H₂)への応答へ影響を及ぼした。速度論的理由のために,O^2-イオンは,ガスへの曝露下での定常状態でほとんど識別され,O^-イオンだけがガスへの応答の原因であるとされ,したがって伝統的に定義された応答を増幅させることへ寄与した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ガスセンサ ,  *酸素 ,  *アニオン ,  圧力効果 ,  電気抵抗率 ,  吸着 ,  受容体
準シソーラス用語： *酸化物半導体

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物半導体 ,  ガスセンサー ,  吸着 ,  酸素 ,  レセプター ,  理論 ,  拡張