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J-GLOBAL ID:201202275834603230   整理番号:12A1457749

珪素に基づく熱電子工学とフォトニクス用の珪素-珪化物材料の創造手法

Approach to a creation of silicon-silicide smart materials for silicon based thermoelectronics and photonics
著者 (5件):
資料名:
巻: 8409  号: Pt.2  ページ: 84091W.1-84091W.11  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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鉄とクロムの二珪化物及びマンガン二珪化物を埋込んだ多層(4~10層)モノリシック及び多結晶ナノ複合膜を(111)及び(100)珪素基板上に極高真空成長技術により成長させた。これらの複合膜は優れた熱電気的性質を有し,p-n接合のメサダイオード構造で波長1.2~1.6μmを強く発光した。ナノ複合膜中にMg2Siナノ結晶をドープする工程を開発した。N型とP型電気伝導ナノ複合膜を成長させることに成功した。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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