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J-GLOBAL ID:201202275853348054   整理番号:12A0584243

湿式化学エッチングを使用したInGaN発光ダイオードのアンダーカット微細孔の形成と最適化

Formation and optimization of undercut-microholes in InGaN light emitting diodes by using wet chemical etching
著者 (9件):
資料名:
巻: 520  号: 13  ページ: 4373-4377  発行年: 2012年04月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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湿式過程で発生するアンダーカット微細孔(UM)の形成と最適化に関して報告する。6μm及び15μm多角形の孔(PH)を有するGaNエピ層を同一条件の選択有機金属化学気相成長法で作製した。試料はKOH溶液またはH3PO4:H2SO4混合溶液のどちらかで湿式エッチングした。H3PO4:H2SO4混合溶液でエッチングにした場合,UMの角度はH2SO4溶液の増加とともに変化した。KOH溶液によって製作されたエッチングは,非常に単純で,明確な62°のUMを形成した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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発光素子  ,  固体デバイス製造技術一般 

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