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J-GLOBAL ID：201202276101414992   整理番号：12A1245860

Ta_xGe_1-xO_yアモルファス薄膜の誘電増強

Dielectric enhancement in amorphous Ta_xGe_1-xO_y thin films

著者 (4件)： NAOI Taro A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  BARRON Sara C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  NOGINOV Maxim M. (School of Applied and Engineering Physics, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  VAN DOVER R. B. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 9  ページ： 092901-092901-3  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta_xGe_1-xO_yアモルファス薄膜の誘電率は純粋なアモルファスTa₂O₅より増加できることを報告する。Geをわずか3%のTaで置換するだけで,同一条件で堆積した純粋なアモルファスTa₂O₅膜(ε_r=22)に対して比誘電率が30.5と40%増加する。光学誘電率(すなわち屈折率)には増加は観測されない。これはこの増加が電気分極ではなくイオン分極の影響が優勢であることを示している。この系はアモルファス酸化物の結合と電子特性間の変動しやすい関係を探索する価値ある機会である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  誘電体 ,  *酸化ゲルマニウム ,  タンタル ,  置換型固溶体 ,  非晶質 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  濃度依存性 ,  屈折率 ,  分極
準シソーラス用語： イオン分極 ,  比誘電率

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファス ,  薄膜 ,  増強