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J-GLOBAL ID：201202276241374940   整理番号：12A0059080

ZnO/ダイヤモンド薄膜へテロ接合ダイオードの作製と光応答

The fabrication and photoresponse of ZnO/diamond film heterojunction diode

著者 (6件)： HUANG J. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  WANG L.j. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  TANG K. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  ZHANG J.j. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  XIA Y.b. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  LU X.g. (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 6  ページ： 2010-2013  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープp型自立ダイヤモンド(FSD)薄膜を熱フィラメント化学蒸着(HFCVD)法で作製した。FSD薄膜の電気的性質に及ぼすB/C比の効果をHall効果測定システムによって調べた。高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法によりn型ZnO薄膜をp型FSD基板上に堆積することによってZnO/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製に成功した。ヘテロ接合ダイオードの波長依存光応答特性を電流電圧(I-V)特性への光照射効果と室温での光電流を調べることによって研究した。ダイオードは逆バイアス条件の下で紫外(UV)光と可視光の間で著しい相違を示し,デバイスの光応答は逆バイアス電圧の増加に関して近似的に線形であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  化学蒸着 ,  Hall移動度 ,  *ヘテロ接合 ,  PN接合 ,  ダイオード ,  スパッタ蒸着 ,  電流電圧特性 ,  *光電流 ,  紫外線 ,  可視光
準シソーラス用語： 熱フィラメント化学蒸着

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  ダイヤモンド薄膜 ,  テロ ,  接合ダイオード ,  作製 ,  光応答