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J-GLOBAL ID：201202276265796365   整理番号：12A0655682

アナログ/混合信号システムオンチップ応用に対するトンネル電界効果トランジスタ

Tunnel Field-Effect Transistors for Analog/Mixed-Signal System-on-Chip Applications

著者 (2件)： MALLIK Abhijit (Univ. Calcutta, Kolkata, IND) ,  CHATTOPADHYAY Avik (Univ. Calcutta, Kolkata, IND)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 888-894  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間トンネル効果に基づく二重ゲート(DG)N型トンネルFETを作製し,そのアナログ特性を調べた。このFETは10nmと薄く,良好なドレイン電流飽和特性を有する。類似の寸法のDG-N型MOSFETに比べ,10nm厚みのSi基板を用いた場合,g_mを一桁低くしながら,g_m/I_D比を改善でき,R_Oを二桁高くでき,素子利得を一桁高くでき,同じ電力レベルでMOSFETよりも利得を高くできが,Miller容量,ユニティゲイン遮断周波数は一桁低くなった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  超LSI ,  *電気特性 ,  利得 ,  相互コンダクタンス ,  電気抵抗 ,  遮断周波数 ,  N型半導体 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： アナログ信号 ,  システムオンチップ ,  ドレイン電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  ミラー効果 ,  混合信号 ,  二重ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アナログ ,  混合信号 ,  システムオンチップ ,  応用 ,  トンネル電界効果トランジスタ