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J-GLOBAL ID：201202276274321884   整理番号：12A0549603

バルク希薄GaN_xAs_1-xの定常状態及び過渡電子輸送特性

Steady state and transient electron transport properties of bulk dilute GaN_xAs_1-x

著者 (3件)： NAYLOR Daniel R. (Dep. of Physics, Univ. of Hull, Cottingham Road, Hull, HU6 7RX, GBR) ,  DYSON Angela (Dep. of Physics, Univ. of Hull, Cottingham Road, Hull, HU6 7RX, GBR) ,  RIDLEY Brian K. (School of Computing and Electronic Engineering, Univ. of Essex, Wivenhoe Park, Colchester, CO4 3SQ, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 053703-053703-5  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクのGaN_xAs_1-x合金(窒素濃度x≦0.02)の電子輸送特性を調べるために,二谷性アンサンブルモンテカルロシミュレーションを行った。このため,1)標準的なKaneモデルに孤立及びペア状態の窒素散乱機構を加えて用いたGaAsのシミュレーション,及び2)バンド反交差モデルの使用から起こるより低い「混合状態」バンドを(濃度>1%に対して)変曲点を実現する解析関数により近似するという二つの別の方法を用いた。定常状態の性質から,窒素散乱モデルは理論及び実験の両方の他の結果により良く合うことを見出した。GaN_xAs_1-xの過渡特性についてのコメントとして,速度のオーバーシュートのピークは,同程度の電場強度においてGaAsで見出されたよりも大変低い速度であること,そしてモデル2により,負の有効質量が過渡的な挙動に重大な役割を果たしていることに注意する。両方のモデルにおいてバルクのGaAsと比較すると,系が平衡に達するのに長く掛かること,そしてモデル2により,高電場下の系では負の有効質量が顕著な数を占めることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *ドーピング ,  *エレクトロトランスポート ,  過渡応答 ,  バンド交差 ,  シミュレーション ,  モデル ,  有効質量 ,  モンテカルロ法 ,  *窒化物 ,  混合状態
準シソーラス用語： Kaneモデル ,  バンド反交差 ,  モンテカルロシミュレーション ,  過渡特性 ,  *窒素ドープ ,  *電子輸送 ,  負の有効質量 ,  *ヒ化窒化ガリウム

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  定常状態 ,  電子 ,  輸送特性