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J-GLOBAL ID：201202276304430705   整理番号：12A0345271

長チャンネル無接合円筒型ナノワイヤFETのための非区分モデル

A Nonpiecewise Model for Long-Channel Junctionless Cylindrical Nanowire FETs

著者 (4件)： DUARTE Juan P. (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOI Sung-Jin (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  MOON Dong-Il (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 2  ページ： 155-157  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,無接合(JL)トランジスタは,大ドーピング濃度勾配および低温のようなプロセス問題を緩和するための代替デバイスとして提案されている。一方,円筒型ナノワイヤ(CN)FETは,短チャネル効果に対して,高度のロバスト性をもっている。そのため,JL CN FETは,ナノスケールトランジスタスケーリングおよび三次元スタックデバイスの有力候補になっている。本レターでは,長チャネルJL CN FETのために非区分ドレイン電流モデルを提案した。これは,従来の反転モード(IM)FETとの差異を明らかにした。これらを数値シミュレーションにて検証した。

シソーラス用語： チャネル ,  接合形トランジスタ ,  ドーピング ,  濃度勾配 ,  低温 ,  短チャネル効果 ,  トランジスタ ,  スケーリング【計数】 ,  三次元 ,  スタック方式 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *ナノワイヤFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： チャンネル ,  ナノワイヤFET ,  モデル