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J-GLOBAL ID:201202276730285585   整理番号:12A0509530

エレクトロクロミックNbドープWO3膜:ポストアニーリングの効果

Electrochromic Nb-doped WO3 films: Effects of post annealing
著者 (7件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 2829-2833  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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NbをドープしたWO3膜をWO3セラミックターゲットと金属Nbを用いた電子線共蒸着法により堆積させた。膜は微小角入射X線回折(GIAXRD),UV/可視分光光度計,電気化学的サイクリックボルタンメトリー,X線光電子分光(XPS)により分析した。作製したままの膜は茶色で非晶質構造であった。膜は可視光領域で低い透過率を示した。XPSから堆積した膜は非化学量論組成であった。負電位を印加することにより,堆積したままの膜はエレクトロクロミック効果を示さなかった。しかし,NbをドープしたWO3膜のエレクトロクロミック特性は酸素雰囲気中350,400及び450°Cでのポストアニール処理により向上した。NbをドープしたWO3膜はポストアニール処理後結晶質構造に転移し,透明となった。エネルギーバンドギャップ,光変調及び着色効率はアニール温度で増加した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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