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J-GLOBAL ID：201202276786522288   整理番号：12A1246084

BiNbO₄の固有欠陥 密度汎関数理論研究

Intrinsic defect in BiNbO₄: A density functional theory study

著者 (4件)： LAI Kangrong (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  ZHU Yingtao (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  DAI Ying (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  HUANG Baibiao (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 4  ページ： 043706-043706-9  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度汎関数理論に基づいて,BiNbO₄系の種々の固有欠陥の生成エネルギー,遷移エネルギー準位,および電子的性質について調べた。本結果は,アクセプタ欠陥はOリッチ条件の下ではドナー欠陥よりも容易に生成されるが,Biリッチ条件の下ではそれが逆であることを示した。Oリッチ条件の下では,p型伝導をもたらすBi空孔(O_vac)が支配的な固有欠陥である一方,Biリッチ条件では,いくらかのn型伝導を誘起するO空孔(O_vac)が支配的な固有欠陥である。これらの固有欠陥の中で,O_vacは深いドナーであり;反対に,Bi_vacは光生成キャリアの分離や移動に有利な浅いアクセプタになることが分かった。従って,Oリッチ成長条件の下でBi_vacをもつBiNbO₄がより優れた光触媒性能をもつはずである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *酸化物 ,  *格子欠陥 ,  *密度汎関数法 ,  第一原理 ,  遷移エネルギー ,  エネルギー準位 ,  物理的性質 ,  アクセプタ ,  ドナー ,  不純物伝導 ,  光生成 ,  キャリア ,  光触媒 ,  光触媒反応 ,  空格子点 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： Fermiエネルギー ,  空孔【点欠陥】 ,  *固有欠陥 ,  光触媒作用 ,  生成エネルギー ,  電子伝導 ,  電子物性 ,  部分状態密度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 固有欠陥 ,  密度汎関数理論 ,  研究