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J-GLOBAL ID：201202276837667170   整理番号：12A1720254

スプレー熱分解ルートで作成したZnO薄膜の電気的および光学的特性におよぼすCdドーパントの効果

Effect of Cd dopant on electrical and optical properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis route

著者 (8件)： ACHARYA A.d. (School of Studies in Physics, Vikram Univ., Ujjain, 456010, MP, IND) ,  MOGHE Shweta (School of Studies in Physics, Vikram Univ., Ujjain, 456010, MP, IND) ,  PANDA Richa (Acropolis Inst. of Technol. & Res. Bhopal, MP, IND) ,  SHRIVASTAVA S.b. (School of Studies in Physics, Vikram Univ., Ujjain, 456010, MP, IND) ,  GANGRADE Mohan (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Khandwa Road, Indore, MP 452001, IND) ,  SHRIPATHI T. (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Khandwa Road, Indore, MP 452001, IND) ,  PHASE D.m. (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Khandwa Road, Indore, MP 452001, IND) ,  GANESAN V. (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Khandwa Road, Indore, MP 452001, IND)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 525  ページ： 49-55  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に化学スプレー熱分解法で作成したCdドープZnO(Cd:ZnO)薄膜の光学および電気特性を評価した。X線回折と原子間力顕微鏡法による結果から,ZnO内のCdドーパント濃度が高いほど結晶品質が劣化することが分かった。Cd濃度が増すと,活性化エネルギーが減少した。また,Cd:ZnO膜の吸収端は長波長シフトを示した。ZnOの吸収端の長波長シフトは,Zn/Cd置換によるバンドギャップの直接変調が原因である。低温伝導は,温度域108~301Kでよくフィットする可変距離ホッピング機構でよく説明できる。ZnCdO合金での天然欠陥の形成におけるCdの重要な役割を理解するために,Cdと欠陥との相互作用についても論じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *噴霧 ,  *熱分解 ,  *ドーピング ,  カドミウム ,  基板 ,  ガラス ,  X線回折 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  濃度依存性 ,  活性化エネルギー ,  *光吸収スペクトル ,  電気伝導 ,  *ホッピング伝導
準シソーラス用語： 化学スプレー熱分解

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S)

タイトルに関連する用語 (5件)： スプレー熱分解 ,  ZnO薄膜 ,  光学的特性 ,  Cd ,  ドーパント