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J-GLOBAL ID：201202276869918779   整理番号：12A0437273

分光偏光解析法によるTa₂O₅ベース積層中の界面層と成分深さ分布

Interfacial layers in Ta₂O₅ based stacks and constituent depth profiles by spectroscopic ellipsometry

著者 (3件)： KARMAKOV Y. (Sofia Univ., Fac. of Physics, Dep. of Condensed Matter Physics, 5, J. Bourchier Bulvd., Sofia 1164, BGR) ,  PASKALEVA A. (Inst. of Solid State Physics, Bulgarian Acad. of Sciences, 72, Tzarigradsko Chuaossee, Sofia 1784, BGR) ,  ATANASSOVA E. (Inst. of Solid State Physics, Bulgarian Acad. of Sciences, 72, Tzarigradsko Chuaossee, Sofia 1784, BGR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 10  ページ： 4507-4512  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では分光偏光解析法によるTa₂O₅積層の光学的界面特性評価について報告した。界面層の深さ方向の不均一性を偏光解析データの解釈に対する新しいアプローチと適切なアルゴリズムによって同定した。高k酸化物厚さ,光学的誘電関数分布,界面層の厚さの同時決定を達成した。界面構成成分とその深さ方向分布を認識した。これらの分布は厚さの正確な決定のための追加ツールとして利用された。類似のSi表面処理によって作製された試料に対して,Ta₂O₅厚さ(<20nm)とTa₂O₅作製方法に無関係に,同等の界面層が検出された。界面の深さ方向での高度に不均一な成分Si相が研究したすべての試料で検出された。界面層の厚さの減少と均一化はTa₂O₅のHfドーピングの後で確立された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  誘電体薄膜 ,  *積層構造 ,  *境界層 ,  *偏光解析法 ,  *光学定数 ,  誘電関数 ,  深さ分布 ,  ハフニウム ,  ドーピング
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  高k誘電体 ,  均一化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分光偏光解析法 ,  Ta2O5 ,  界面層 ,  深さ分布