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J-GLOBAL ID：201202276876450707   整理番号：12A1348892

大アスペクト比強磁性薄膜ヘテロ構造の誘電特性および分光

Dielectric properties and spectroscopy of large-aspect-ratio ferroelectric thin-film heterostructures

著者 (7件)： NARAYANAN Manoj (Argonne National Lab., IL, USA) ,  BALACHANDRAN Uthamalingam (Argonne National Lab., IL, USA) ,  STOUPIN Stanislav (Argonne National Lab., IL, USA) ,  MA Beihai (Argonne National Lab., IL, USA) ,  TONG Sheng (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  CHAO Sheng (Argonne National Lab., IL, USA) ,  LIU Shanshan (Argonne National Lab., IL, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 33  ページ： 335401,1-6  発行年： 2012年08月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高エネルギー密度の次世代キャパシタとして,母材金属箔に高kセラミック膜を形成させた構造の,高アスペクト比の薄膜キャパシタが期待されている。界面層形成を抑制するためにLaNiO₃(LNO)のような伝導性酸化膜中間層を介して誘電体膜を形成している。Pb_0.92La_0.08Zr_0.52Ti_0.48O₃(PLZT8/52/48)膜をニッケル基板上のLNOバッファに形成したキャパシタは,高アスペクト比10⁴以上でかつ1MVcm^-1の高電界に耐えることを報告する。誘電緩和現象を解析して等価回路モデルを得た。膜の高電界ヒステリシス特性から大面積高アスペクト比キャパシタの真のエネルギー密度を計算し3-9Jcm^-3を得た。

シソーラス用語： 充電 ,  *エネルギー密度 ,  *鉛化合物 ,  ランタン化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  チタン化合物 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電緩和
準シソーラス用語： *キャパシタ蓄電 ,  酸化物薄膜

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： アスペクト比 ,  強磁性薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  誘電特性 ,  分光