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J-GLOBAL ID：201202276877064258   整理番号：12A1079769

通常オフSiC JFETの超高速スイッチングのための新規のAC-結合ゲートドライバ

Novel AC-Coupled Gate Driver for Ultrafast Switching of Normally Off SiC JFETs

著者 (4件)： WRZECIONKO Benjamin (Swiss Federal Inst. Technol. Zurich (ETH Zurich), Zurich, CHE) ,  BORTIS Dominik (Swiss Federal Inst. Technol. Zurich (ETH Zurich), Zurich, CHE) ,  BIELA Juergen (Swiss Federal Inst. Technol. Zurich (ETH Zurich), Zurich, CHE) ,  KOLAR Johann W. (Swiss Federal Inst. Technol. Zurich (ETH Zurich), Zurich, CHE)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27  号： 7-8  ページ： 3452-3463  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,SiC通常オフJFETの潜在能力を利用し,高いスイッチング周波数を持つコンバータでの使用を確実にするために,新規のゲートドライバ回路を提示し,数値化した。提案したゲートドライバは,ただ1個の標準ゲートドライバIC,コンデンサ1個,抵抗2個及びダイオード6個を使用して,SiC通常オフJFETの要求を満足させた。この回路は,スイッチのオン中は,必要な電荷を素早く充電済コンデンサから供給し,オフ中は,低インピーダンスパスが迅速に電荷をゲートから除去した,又オフ期間の負バイアスは,JFETを偶然にオンさせる危険性無で,低インピーダンスパスを経由してゲート-ドレイン間静電容量を充電した。初めに,通常の電力用半導体との差異を示すため,通常オフJFET専用のゲートドライバの要件をその理由と共に詳細に記述し,次にこの構想の短い纏めを示した後,提案した新規のゲートドライバの構想を詳細に提示した。更に,半波整流試験装置を用いてスイッチング過渡現象の波形を示し,理論的考察の有効性を立証した。

シソーラス用語： 電子回路 ,  *スイッチング ,  集積回路 ,  駆動回路 ,  *炭化ケイ素 ,  インピーダンス ,  コンデンサ ,  ドレイン【半導体】 ,  静電容量 ,  ゲート【半導体】 ,  過渡現象 ,  半波整流
準シソーラス用語： *JFET回路 ,  SiC ,  スイッチング過渡現象 ,  ドライバIC ,  ドライバ回路 ,  電気インピーダンス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子回路一般  (NC05010N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オフ ,  SiC ,  JFET ,  スイッチング ,  ゲート ,  ドライバ