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J-GLOBAL ID：201202276879749819   整理番号：12A0892504

In吸着Au/Si(111)-√3×√3表面の電子構造 第一原理研究

Electronic structure of the indium-adsorbed Au/Si(111)-√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span> surface: A first-principles study

著者 (5件)： HSU Chia-Hsiu (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN Wen-Huan (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  OZOLINS Vidvuds (Univ. California, California, USA) ,  CHUANG Feng-Chuan (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHUANG Feng-Chuan (Univ. California, California, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 15  ページ： 155401.1-155401.7  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *表面構造 ,  *ケイ素 ,  結晶方位 ,  *吸着 ,  *金 ,  *インジウム ,  *電子構造 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  近似法 ,  バンド構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  スピン-軌道相互作用
準シソーラス用語： Monkhorst-Pack法 ,  PAW法 ,  Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  VASP【計算機プログラム】 ,  第一原理計算 ,  半導体表面 ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 吸着 ,  Au ,  Si ,  電子構造 ,  第一原理 ,  研究