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J-GLOBAL ID：201202276984401836   整理番号：12A1763471

Au/NiO/Auナノワイヤアレイにおける低電力抵抗スイッチング

Low-power resistive switching in Au/NiO/Au nanowire arrays

著者 (7件)： BRIVIO S. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  TALLARIDA G. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  PEREGO D. (Dipartimento di Chimica, Materiali ed Ing. Chimica “G.Natta,” Politecnico di Milano, Via Mancinelli 7, 20131 ...) ,  FRANZ S. (Dipartimento di Chimica, Materiali ed Ing. Chimica “G.Natta,” Politecnico di Milano, Via Mancinelli 7, 20131 ...) ,  DELERUYELLE D. (IM2NP, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., IMT Technopole de Chateau-Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, FRA) ,  MULLER C. (IM2NP, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Univ., IMT Technopole de Chateau-Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, FRA) ,  SPIGA S. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 22  ページ： 223510-223510-4  発行年： 2012年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径50nmのAu/NiO/Auセグメントに構造化した垂直ナノワイヤのアレイを,導電性原子間力顕微鏡によりキャラクタライズし,ナノスケールでのNiOにおける単極性抵抗スイッチングを研究した。スイッチングサイクルを,1.3nWまでの極端に低い電力消費によりキャラクタライズし,ナノワイヤベース抵抗スイッチングメモリ素子における大きな改善を構築した。単極性メモリに一般的な,セット抵抗の関数としてのリセット電流の傾向を,文献に報告されているものよりはるかに広い電流範囲まで拡張し,非常に低いリセット電流に関するリセット過程におけるJoule加熱の役割を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *金 ,  *酸化ニッケル ,  垂直 ,  スイッチング ,  キャラクタリゼーション ,  *消費電力 ,  動作 ,  電流 ,  抵抗加熱
準シソーラス用語： *ナノワイヤアレイ ,  *抵抗スイッチング ,  単極性 ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  低電力 ,  セット ,  リセット ,  Joule加熱

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  Auナノワイヤ ,  アレイ ,  低電力 ,  抵抗スイッチング