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J-GLOBAL ID：201202277054978765   整理番号：12A1405371

GaAs_1-xBi_xにおける電子スピン緩和 Bi取込によるスピン-軌道同調の影響

Electron spin relaxation in GaAs_1-xBi_x: Effects of spin-orbit tuning by Bi incorporation

著者 (3件)： TONG H. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale and Dep. of Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China ...) ,  MARIE X. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, F-31077 Toulouse, FRA) ,  WU M. W. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale and Dep. of Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 063701-063701-4  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi組成0≦x≦0.1を持つn型および真性GaAs_1-xBi_xにおける電子スピン緩和を微視動的Bloch方程式近似で調べた。Biの取込がスピン-軌道相互作用変化の結果としてスピン緩和時間を著しく減少させる事を示し,これはスピントロニクス素子応用におけるGaAs_1-xBi_xの可能性を示している。GaAs_1-xBi_xのスピン緩和時間の密度および温度依存性がGaAsのそれに似ている事を示した。一方,Bir-Aronov-Pikus機構は真性試料のD’yakonov-Perel’機構に比べられ無視して良いとされた。調べた組成範囲全体における電子有効質量の直接測定の欠落のため,電子有効質量の可能な変化の電子スピン緩和への影響を更に調べる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ビスマス ,  *電子スピン緩和 ,  N型半導体 ,  真性半導体 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  微視力学 ,  Bloch方程式 ,  緩和時間 ,  密度依存性 ,  温度依存性 ,  有効質量 ,  電子 ,  スピントロニクス ,  *取込
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  微視的力学

分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子スピン緩和 ,  Bi ,  取込 ,  スピン ,  軌道 ,  同調