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J-GLOBAL ID：201202277268449077   整理番号：12A1383293

S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器

著者 (9件)： 小坂尚希 (三菱電機) ,  内田浩光 (三菱電機) ,  能登一二三 (三菱電機) ,  山中宏治 (三菱電機) ,  中山正敏 (三菱電機) ,  金谷康 (三菱電機) ,  野上洋一 (三菱電機) ,  井上晃 (三菱電機) ,  平野嘉仁 (三菱電機)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012  号： エレクトロニクスソサイエティ1  ページ： 54  発行年： 2012年08月28日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  HEMT ,  窒化ガリウム ,  *高周波増幅器 ,  周波数帯 ,  電気整合 ,  基板 ,  ケイ素
準シソーラス用語： S帯

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： S帯 ,  整合 ,  GaN ,  Si ,  高効率 ,  出力増幅器