SiO<sub>2</sub>基質中に埋込んだ珪素ナノワイヤ太陽電池の性能研究用の数値手法

KUROKAWA Yasuyoshi; KUROKAWA Yasuyoshi; KATO Shinya; WATANABE Yuya; YAMADA Akira; KONAGAI Makoto; OHTA Yoshimi; NIWA Yusuke; HIROTA Masaki

文献

J-GLOBAL ID：201202277458496950 整理番号：12A1756887

SiO₂基質中に埋込んだ珪素ナノワイヤ太陽電池の性能研究用の数値手法

Numerical Approach to the Investigation of Performance of Silicon Nanowire Solar Cells Embedded in a SiO₂ Matrix

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 51 号： 11,Issue 2 ページ： 11PE12.1-11PE12.4 発行年： 2012年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SiO₂/n型水素化非晶質酸化珪素(Eg=1.9eV)構造中に埋込んだp型水素化非晶質酸化珪素(Eg=1.9eV)/n型珪素ナノワイヤ(SiNW)を有するSiNW太陽電池の電気特性を,二次元と三次元のデバイスシミュレータを用い,量子サイズ効果を考慮して調べた。直径を10nmから2nmに細くすると量子サイズ効果により,SiO₂中に埋込んだSiNWの平均バンドギャップが1.15eVから2.68eVへ広がった。また,SiNWの直径を2nmに小さくすると,AM1.5Gの太陽光下のSiNW太陽電池の開路電圧は1.46Vへ低下したことに注意すべきである。この結果は量子サイズ効果を適用することで開放電圧を高くできることを示唆し,SiNWは全珪素タンデム太陽電池用の有望な材料である。(翻訳著者抄録)

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太陽電池

引用文献 (35件)：

1) S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai: Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 2010, p.766.
2) Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L833.
3) L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, B. A. Korevaar, O. Sulima, and J. Rand: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 233117.
4) V. Sivakov, G. Andrä, A. Gawlik, A. Berger, J. Plentz, F. Falk, and S. H. Christiansen: Nano Lett. 9 (2009) 1549.
5) M. L. Zhang, K. Q. Peng, X. Fan, J. S. Jie, R. Q. Zhang, S. T. Lee, and N. B. Wong: J. Phys. Chem. C 112 (2008) 4444.

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