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J-GLOBAL ID：201202277544823387   整理番号：12A1045805

単層カーボンナノチューブのヘキサハプト-金属錯体

Hexahapto-Metal Complexes of Single-Walled Carbon Nanotubes

著者 (9件)： KALININA Irina (Univ. California, California, USA) ,  BEKYAROVA Elena (Univ. California, California, USA) ,  SARKAR Santanu (Univ. California, California, USA) ,  WANG Feihu (Univ. California, California, USA) ,  ITKIS Mikhail E. (Univ. California, California, USA) ,  TIAN Xiaojuan (Univ. California, California, USA) ,  NIYOGI Sandip (Univ. California, California, USA) ,  JHA Neetu (Univ. California, California, USA) ,  HADDON Robert C. (Univ. California, California, USA)
資料名： Macromolecular Chemistry and Physics  (Macromolecular Chemistry and Physics)
巻： 213  号： 10/11  ページ： 1001-1019  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： D0010A  ISSN： 1022-1352  CODEN： MCHPES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 精製単層カーボンナノチューブ(SWNT)およびオクタデシルアミン-末端官能化SWNTとCr(CO)₆およびη⁶-C₆H₆Cr(CO)₃との反応を温度と試薬モル比の最適条件下で行った。合成したモノ-およびビス-両ヘキサハプトSWNT配位化合物[(η⁶-SWNT)Cr(CO)₃,(η⁶-SWNT)Cr(η⁶-C₆H₆),(η⁶-SWNT)₂Cr]は有機溶媒に可溶性で分光法により特性解析できた。結果について,SWNT側面へのクロムの外面および内面結合と配位子競争反応の観点から説明し,結合は非常に安定で,動力学的に不活性であることを示唆した。SWNT薄膜の電気伝導率は6族遷移金属(M=Cr,MoおよびW)に側面結合することで著しく向上し,(η⁶-SWNT)₂M形成によってカーボンナノチューブ間接合部の電気抵抗を低減するのに役立つことを示した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *クロム錯体 ,  モリブデン錯体 ,  タングステン錯体 ,  カルボニル錯体 ,  有機クロム化合物 ,  官能化 ,  電気伝導率 ,  可溶性 ,  配位子効果 ,  薄膜 ,  電気抵抗 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン ,  芳香族炭化水素 ,  溶解性

分類 (1件)： 分子化合物  (CE02000C)

物質索引 (2件)： オクタデシルアミン ,  ベンゼン

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層カーボンナノチューブ ,  金属錯体