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J-GLOBAL ID:201202278865714691   整理番号:12A0895364

Ni(111)上のグラフェン単分子層回転は二層グラフェン成長を促進する

Graphene monolayer rotation on Ni(111) facilitates bilayer graphene growth
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  号: 24  ページ: 241602-241602-4  発行年: 2012年06月11日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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化学蒸着による二層グラフェンの合成はグラフェン系電界効果素子にとって重要である。本論文では,Ni(111)基板に対して回転するグラフェンシート下の炭素偏析により二層グラフェンが選択的に成長することを実証した。Ni(111)薄膜上,成長温度>650°Cで回転したグラフェン単分子層膜を合成できる。偏析した第二のグラフェン層はNi(111)基板に登記(registry)され,これはさらなるC偏析を抑制し,グラフェン形成を二層に効果的に自己制限する。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 

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