文献

J-GLOBAL ID：201202278985818059   整理番号：12A0718285

溶液中におけるZnOナノロッドアレイのオンチップ直接合成とその電気特性

Direct fabrication of ZnO nanorods array on-chip system in solution and their electrical properties

著者 (5件)： QURASHI Ahsanulhaq (School of Semiconductor and Chemical Engineering, , Chonbuk National Univ., Jeonju 561-756, KOR) ,  QURASHI Ahsanulhaq (Center of Excellence in Nanotechnology and Chemistry Dep., King Fahd Univ. of Petroleum and Minerals Dhahran, Saudi ...) ,  KIM Jin Hwan (School of Semiconductor and Chemical Engineering, , Chonbuk National Univ., Jeonju 561-756, KOR) ,  HAHN Yoon-bong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, , Chonbuk National Univ., Jeonju 561-756, KOR) ,  HAHN Yoon-bong (Dep. of BIN Fusion Technol., Chonbuk National Univ., Jeonju 561-756, KOR)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 18  ページ： 88-91  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノデバイス作製の古典的なピックアンドプレース法を用いず,合成したままのナノロッド(NR)の電気特性を直接測定するために,ナノロッドの部分選択成長により,ZnO NRアレイを直接的にオンチップ合成し,2つの金電極間にナノロッドアレイ橋を形成させた。本手法は,電極上にナノ構造体を成長させる,魅力的,現実的,直接的,そして高度に再現性のある手法だと言える。電極構造や電極形状に損傷を与えることなく,ZnO NRアレイを,事前にパターン化処理された二電極間において,70°Cで,成長させた。NRの6時間に及ぶ成長の間,電極は,化学溶液中で,損なわれず完全に保たれた。二電極間ZnO NRアレイの電気特性に及ぼす酸素プラズマ処理の影響も詳細に調べた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *配列 ,  電気特性 ,  *酸化亜鉛 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *ナノロッドアレイ ,  直接合成 ,  酸素プラズマ

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  オンチップ ,  直接合成 ,  電気特性