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J-GLOBAL ID:201202279510811013   整理番号:12A0438636

高効率太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットのための種付け方向性凝固工程におよぼす絶縁隔壁の影響

Influence of an insulation partition on a seeded directional solidification process for quasi-single crystalline silicon ingot for high-efficiency solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 100  ページ: 231-238  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高効率の太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットを生産するために,工業サイズの種付け方向性凝固(DS)炉での絶縁隔壁を設計した。凝固過程時における固化したシリコンインゴットにおける温度と熱応力におよぼす絶縁隔壁ブロックの効果を過渡的全体模型を用いて調べた。計算を実験測定と比べて,過渡的全体模型の有効性を確認した。シミュレーション結果から,絶縁隔壁ブロックが熱パワー消費全体を大きく低減して,シリコン融体の温度と速度場に影響することが明かになった。また,絶縁隔壁がある場合,融体に対して融体-結晶(m-c)界面形状が結晶成長速度の増加とともに凹面型から凸面型に変化し,一方,隔壁ブロックがない場合は,結晶成長率が低いときは界面形状が平面のままであった。成長したシリコン結晶での軸方向温度勾配と熱応力は隔壁ブロックにより増加した。成長した準単結晶シリコンインゴットから作成した太陽電池は,従来より高い短絡電流(I sc)と開放回路電圧(Voc)を示した。太陽電池の平均変換効率は17.8%に増加し,これは従来の炉から得られたmc-Siインゴットに基づく素子より約1.2%大きい。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  半導体の結晶成長 

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