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J-GLOBAL ID：201202279675882357   整理番号：12A0363627

Ge_1-zSn_z/Si-オン-絶縁体基板の固相混合を用いたSi_1-x-yGe_xSn_y-オン-絶縁体構造の低温形成

Low temperature formation of Si_1-x-yGe_xSn_y-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge_1-zSn_z/Si-on-insulator substrates

著者 (5件)： NAKATSUKA Osamu ,  MOCHIZUKI Kenta ,  SHIMURA Yosuke ,  YAMAHA Takashi ,  ZAIMA Shigeaki
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3288-3292  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪み-弛緩Si_1-x-yGe_xSn_y-オン-絶縁体(SGTOI)構造の低温形成法を提案した。 400°C程度に低い温度でSiO₂/Ge_1-zSn_z/SOI構造をアニールした後に絶縁体上の単一および均一Si_1-x-yGe_xSn_y層の固相反応と形成を見つけた。SGTOIの結晶構造を評価し,そして,アニール,Sn取り込み,そして,SiO₂キャップ層のGe_1-zSn_zとSOI層の間の固相反応への効果を研究した。固相反応は,より高いSn含量とより厚いSiO₂キャップ層で強化し,それから,Si_1-x-yGe_xSn_y層は,より速く形成した。SGTOI層は非常に低いモザイク性を示し,そして,良い結晶性を有した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 低温 ,  結晶構造 ,  厚み ,  *素子構造 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *スズ ,  *固溶体 ,  SOI構造 ,  二酸化ケイ素 ,  熱処理 ,  保護膜 ,  *固相反応 ,  エピタクシー ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： SGTOI構造 ,  固相エピタキシー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  絶縁体 ,  固相 ,  低温形成