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J-GLOBAL ID：201202279707856523   整理番号：12A0599907

ビスマスの組成比が大きいGaN_1-xBi_x合金の分子ビームエピタクシー

Molecular beam epitaxy of GaN_1-xBi_x alloys with high bismuth content

著者 (20件)： NOVIKOV S. V. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  YU K. M. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LEVANDER A. X. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LEVANDER A. X. (Univ. California, CA, USA) ,  LILIENTAL-WEBER Z. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DOS REIS R. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DOS REIS R. (UFRGS, RS, BRA) ,  KENT A. J. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  TSENG A. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DUBON O. D. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WU J. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  TSENG A. (Univ. California, CA, USA) ,  DUBON O. D. (Univ. California, CA, USA) ,  WU J. (Univ. California, CA, USA) ,  DENLINGER J. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WALUKIEWICZ W. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LUCKERT F. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  EDWARDS P. R. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  MARTIN R. W. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  FOXON C. T. (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 3  ページ： 419-423  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,有機金属気相成長法(MOCVD)および分子ビームエピタクシー(MBE)によって,少ない組成量を含むGaAs_1-xBi_xの成長が可能であることが報告されて。ここでは,ビスマスの組成比が大きい場合について,プラズマ支援のMBE法によって格子不整合の大きいGaN_1-xBi_x合金を成長させた。GaリッチおよびNリッチの成長条件下において,100°C以下の成長温度でGaNに混入するビスマス量を解析した。電子プローブマイクロアナライザによって,GaN_1-xBi_x層におけるBiの横方向の均一な分布を確認し,Rutherford後方散乱分析と二次イオン質量分析法によってBiの深さ方向の均一性を確認した。また,非晶質のGaN_1-xBi_x合金に埋め込まれた微結晶クラスタの形成が確認された。非晶質マトリックスは,ランダムな微結晶GaN_1-xBi_x合金に似た短距離秩序を有する。更に,非晶質GaN_1-xBi_x合金は,Gaリッチな成長条件下において促進されることが判明した。薄膜は非晶質であるにも拘わらず,明瞭な光の吸収端が確認された。

シソーラス用語： *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  電子プローブX線分析 ,  MBE成長 ,  格子不整合 ,  均一性 ,  二次イオン質量分析 ,  Rutherford後方散乱 ,  微結晶 ,  非晶質 ,  短範囲規則度 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折
準シソーラス用語： EPMA【表面分析】 ,  プラズマ支援MBE成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ビスマス ,  組成比 ,  合金 ,  分子ビームエピタクシー