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J-GLOBAL ID：201202279788593343   整理番号：12A0555275

La_0.7Sr_0.3MnO₃/MgO/Feスピンバルブにおける磁界によるブレークダウン

Breakdown by magnetic field in a La_0.7Sr_0.3MnO₃/MgO/Fe spin valve

著者 (3件)： WU Xiaojie (State Key Lab. of Rare Earth Resources Utilization, Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  ZHANG Zhenzhong (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  MENG Jian (State Key Lab. of Rare Earth Resources Utilization, Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 12  ページ： 122408-122408-3  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリングにより(100)SrTiO₃基板上に逆トンネル磁気抵抗(TMR)のLa_0.7Sr_0.3MnO₃/MgO/Feスピンバルブを作製した。540%までの巨大TMR比が得られた。スピンバルブのブレークダウンは高い磁界印加で観測されているが,それはMgOバリア層の無効化とLa_0.7Sr_0.3MnO₃の高磁界でのフェルミエネルギーのシフトとが結びついた動作によるものであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  マグネトロンスパッタリング ,  TMR素子 ,  *磁気抵抗 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  強磁場 ,  酸化マグネシウム ,  Fermi準位 ,  固溶体 ,  酸化ストロンチウム ,  酸化マンガン ,  酸化ランタン ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： スピンバルブ ,  トンネル磁気抵抗 ,  マンガン酸ランタンストロンチウム ,  LSMO【化合物】

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  Fe ,  スピンバルブ ,  磁界 ,  ブレークダウン