Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>S/D p-MOSFETへの電子線照射による電気的特性への影響の評価

中島敏之; 中島敏之; 出本竜也; 米岡将士; 角田功; 高倉健一郎; 大山英典; SIMOEN E.; CLAEYS C.; CLAEYS C.; 吉野賢二

文献

J-GLOBAL ID：201202280253516372 整理番号：12A1236041

Si_1-xGe_xS/D p-MOSFETへの電子線照射による電気的特性への影響の評価

Radiation Damage in Electrical Characteristic of Si_1-xGe_x S/D p-MOSFET by Electron Irradiation

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Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki)

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号： 41 ページ： 79-84 発行年： 2012年07月30日
JST資料番号： G0471A ISSN： 0540-4924 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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歪Siチャネルを用いたSi_1-xGe_xソース/ドレインpMOSFETについて,電子線を照射した場合に起こる電気的特性の劣化を実験により考察した。電子線照射の影響評価は,デバイスのドレイン電流-ゲート電圧特性による入力特性を使用した。ゲート長0.25μm,0.3μm,1μm,Ge濃度0,0.2,0.3のサンプルを使い,電子線照射前後の入力特性を測定し,考察した。更に,圧縮応力を変化させる要素として電子線照射前後の最大正孔移動度と閾値電圧を取り上げ,入力特性からこれらの値を算出し,Ge濃度依存性とゲート長依存性を検証した。

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