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J-GLOBAL ID：201202280800263867   整理番号：12A0794993

高圧下におけるテルルの赤外吸収スペクトル

Infrared Absorption Spectrum of Tellurium under High Pressure

著者 (3件)： 匠正治 (福岡大 理) ,  平井信弘 (福岡大 理) ,  永田潔文 (福岡大 理)
資料名： 福岡大学理学集報  (Fukuoka University Science Reports)
巻： 42  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 2012年03月30日 
JST資料番号： L4851A  ISSN： 0386-118X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,圧力関連相転移の中で,電気的性質が最も急激に変化する圧力誘起半導体-金属相転移を取上げ電子構造変化を調べる目的で,最も低い圧力で相転移が起き,圧力測定実験がし易いことから,試料としてテルルを選び,高圧下の光吸収を測定し,圧力誘起相転移における電子状態変化を調べた。Fourier変換顕微赤外分光光度計とダイアモンド・アンビル・セルを使い,エネルギー領域0.09~0.74eV,最高圧力5GPa下でテルルの赤外吸収スペクトルを測定した。常圧下,励起子による吸収を伴う基礎吸収端が0.33eVで認められた。基礎吸収端は圧力増加と共に-178(7)meV/GPaの圧力依存性で低エネルギー側へシフトした。赤外顕微鏡検出器の感度限界から3GPa以上で基礎吸収端を測定できなかったが,金属化が起きる4GPaのバンドギャップエネルギーは外挿で0だった。

シソーラス用語： *金属-半導体転移 ,  *相転移 ,  *電子構造 ,  電子状態 ,  *高圧 ,  *テルル ,  光吸収 ,  吸収端 ,  赤外分光法 ,  FTIR分光法 ,  *赤外吸収スペクトル ,  圧力効果 ,  赤方偏移 ,  検出限界 ,  メタライゼーション ,  エネルギー ,  外挿法 ,  *圧力誘起相転移 ,  バンドギャップエネルギー ,  赤外顕微分光法
準シソーラス用語： *半導体-金属転移 ,  顕微赤外分光法 ,  圧力依存性 ,  金属化 ,  外挿

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高圧 ,  テルル ,  赤外吸収スペクトル