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J-GLOBAL ID：201202280887627606   整理番号：12A0425525

ハイブリッド集積化受信機用の回折格子結合器埋め込みシリコン基盤

Grating Coupler Embedded Silicon Platform for Hybrid Integrated Receivers

著者 (8件)： SONG Jeong Hwan (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  SONG Jeong Hwan (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CHANG Jae Hong (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  ZHANG Jing (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  ZHANG Huijuan (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  PARK Mi Kyoung (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  LI Chao (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  LO Guo Qiang (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 1-4  ページ： 161-163  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 回折格子結合器は,光を単一モードファイバに結合するのに有用であるばかりでなく,フォトダイオードや面発光レーザなどの能動素子を,シリコン導波路基板上で直接集積するのに適している。ハイブリッド集積化受信機用の回折格子結合器埋め込みシリコン基盤の実現可能性とその集積化プロセスを性能評価の検討とともに示した。基盤は,220nmSOI上の標準CMOS技術により製作される。アバランシェフォトダイオードを回折格子結合器上に集積する。逆バイアスが33Vのとき,0.02A/Wの応答が得られる。ハイブリッド集積化受信機の性能は,完全に基盤の性能に依存する。受信機の応答改善のために,340nm厚のSOIウェハ基盤の製作を提案した。

シソーラス用語： *回折格子 ,  *結合器 ,  単一モードファイバ ,  *フォトダイオード ,  面発光レーザ ,  導波路
準シソーラス用語： *CMOS技術

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積化 ,  受信機 ,  回折格子結合器 ,  埋め込み ,  シリコン ,  基盤