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J-GLOBAL ID：201202281242219968   整理番号：12A1066818

Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3O₃基板上に成長したYBa₂Cu₃O_7-δエピタキシャル薄膜の微細構造

Microstructure of epitaxial YBa₂Cu₃O_7-δ thin films grown on Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3O₃ substrates

著者 (4件)： YU Y. (Beijing National Center for Electron Microscopy, Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering ...) ,  ZHANG X. (Beijing National Center for Electron Microscopy, Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering ...) ,  WANG J.w. (Dep. of Physics and the Key Lab. of Atomic and Nanosciences, Ministry of Education, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZHAO Y.g. (Dep. of Physics and the Key Lab. of Atomic and Nanosciences, Ministry of Education, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 354  号： 1  ページ： 98-100  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザー蒸着によってPb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3O₃圧電/強誘電体基板上に成長したc軸配向YBa₂Cu₃O_7-δ(YBCO)エピタキシャル薄膜の微細構造を,透過型電子顕微鏡法を用いて研究した。膜中の主要な欠陥が,界面のミスフィット転位と面欠陥であることが明らかになった。さらに,傾斜ドメイン壁を有するわずかなa軸配向ドメインをYBCO膜で観測し,傾斜ドメイン壁の形成機構を議論した。加えて,界面近傍で微量の析出物をいくつかのケースで観測した。これらのすべての欠陥とドメイン構造が,YBCOエピタキシャル薄膜の歪み緩和に寄与していた。これらの研究結果は,高T_c超伝導体-強誘電体ヘテロ構造における微細構造と物理的特性の相関関係に関する今後の研究に役に立つ可能性がある。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヘテロエピタクシー ,  *レーザ蒸着 ,  *優先配向 ,  超伝導薄膜 ,  *YBCO薄膜 ,  基板 ,  酸化物 ,  チタン化合物 ,  鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  ニオブ化合物 ,  *微細構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *不整合転位 ,  *分域 ,  析出物 ,  緩和現象 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： c軸配向 ,  ミスフィット転位 ,  歪緩和

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pb ,  成長 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  微細構造